技术参数
测量范围 0~199.9μg/LSiO2
基本误差≤±2.5%FS
重复性误差≤±0.5%FS
短期漂移（30分钟） ： ≤±0.5%FS
长期漂移(24小时） ： ≤±2.5%FS
化学方法 ：硅钼兰光度法GB 12150—89

台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪台式硅酸根分析仪/二氧化硅分析仪

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